型号:DMG8601UFG-7 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-UDFN 裸露焊盘 | 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 6.1A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 23 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 950mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 143pF @ 10V |
功率_最大 | 920mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-UDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 | 8-DFN3030(3x3) |
包装 | Digi-Reel® |
供应商
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市三得电子有限公司 | 谢先生15026993318 |
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