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电子元器件详细资料 » IC[15451] » DMG8601UFG-7
型号:DMG8601UFG-7类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-UDFN 裸露焊盘描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
系列-
制造商Diodes Inc
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C23 毫欧 @ 6.5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222950mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs8.8nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds143pF @ 10V
功率_最大920mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-UDFN 裸露焊盘
供应商设备封装8-DFN3030(3x3)
包装Digi-Reel®

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
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